Физический предел продолжительности службы солнечного элемента

Аннотация

Выполнена оценка предельного времени жизненного цикла полупроводникового солнечного элемента (СЭ). При расчетах допускалось, что вся поглощенная полупроводниковым материалом солнечная энергия, которая не используется полезно, расходуется на нагрев СЭ и создание в нем дефектов. Появление дефектов с глубокими энергетическими уровнями приводит к росту рекомбинационного тока и соответственно - к снижению КПД преобразования. Показано, что скорость деградации активной области СЭ определяется главным образом энергией образования рекомбинационных центров. Утверждается, что при использовании в расчетах параметров, близких к параметрам кремния, предельный срок службы СЭ может составлять сотни лет.